芯片|1颗芯片是如何集成1万亿个晶体管的？( 二 )

在这种2D材料方面，针对这种材料，英特尔也做了很多研究和分析，并在会议上展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，使用了厚度仅三个原子的2D通道材料，同时在室温下实现了近似理想的低漏电流双栅极结构晶体管开关。
除此之外， 3D封装技术也能进一步提升单个设备中晶体管的数目。
英特尔在3D封装方面也取得了新进展，与IEDM 2021上公布的成果相比，英特尔IEDM 2022上展示的最新混合键合研究将功率密度和性能又提升了10倍。

另外，通过混合键合技术将互连间距继续微缩到3微米，英特尔实现了与单片式系统级芯片（system-on-chip）连接相似的互连密度和带宽。加上将多芯片互连的工艺里需要的材料换成无机材料，以便于与封装厂多种工艺要求兼容。
虽然进一步实现晶体管的微缩是一件需要耗费巨大财力和人力的事情，但依然有像英特尔这样的企业在持续投入研发，并对晶体管的未来抱有期望。
英特尔认为，从2023年到2030年，单个设备中晶体管的数目将翻10倍，即从1千亿个晶体管到1千万个晶体管。
要实现这个目标，需要英特尔等业内领先企业持续投入研发，尝试更多可行的技术。
不知当一颗芯片中就可以容纳1万亿个晶体管的时候，我们的世界又会变成什么样子？