企业动态|ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货、每台至少3亿欧元！( 二 )

目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。
相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。

文章图片

目前，台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算等先进芯片需求。而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。
在2021年7月底的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔已宣布将在2024年量产Intel 20A工艺（相当于台积电2nm工艺），并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。根据英特尔披露的信息显示，其还将于2024年量产更先进的Intel 18A工艺。
ASML总裁兼首席技术官Martin van den当时就表示，英特尔对ASML在High-NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求。
今年9月，台积电研究发展资深副总经理米玉杰也对外表示，台积电将在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻机，为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。
而根据ASML今年4月披露的信息显示，目前ASML在位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统（EXE:5000）。
今年第一季度收到了多个EXE:5200系统（量产版High-NA EUV光刻系统）的订单，今年4月还收到了额外的EXE:5200 订单。目前，ASML收到了来自三个逻辑厂商和两个存储厂商的 High-NA EUV订单。
显然，这里提到的三个逻辑晶圆厂应该是英特尔、台积电和三星，两个存储晶圆厂应该是三星和SK海力士。

文章图片

△ASML首个High-NA EUV光刻系统
虽然，三星和SK海力士尚未公开证实这一点，但消息人士表示，他们已经向ASML下了订单。
在今年的三季报会议上，ASML还宣布，其第三季度的预订量达到创纪录的约 89亿欧元，其中38亿欧元是EUV系统，包括了High NA EUV系统。
在此次的新闻发布会上，温宁克表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系统将首次应用于晶圆厂，计划在2026年至2027年之间的某个时间点批量生产该设备，并将尽可能扩大其生产能力，预计到2027-2028年，High-NA EUV光刻系统的年产能将达到20个。
【企业动态|ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货、每台至少3亿欧元！】对于High-NA EUV光刻系统的价格，温宁克也首次正面回应称，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。但是对于正在先进制程领域激烈竞争的头部晶圆厂来说，他们别无选择。