半导体|红外光的快速爆发为半导体芯片内部的3D处理开辟了一条道路( 二 )

（a）–（c）由不同脉冲能量（写在顶部）和不同脉冲序列（写在左侧）激发的发光图。每个图像由写在图像底部的字母表示。 k矢量表示激光的传播方向。（d），（e）根据写在图像底部的字母在较高能量图上减去较低能量图。（f）发光图像都是从脉冲串模式下208nJ能量的辐照获得的，改变了每个图像顶部所示的施加序列中的脉冲数。（g）–（i）轴上发光强度信号（图像O中的白色虚线）。黑色虚线表示几何焦点的位置（z=0μm）。
这项工作背后的团队负责人David Grojo博士评论说：“这为半导体内部的超快激光书写提供了第一个非常实用的解决方案。下一步将是专注于这些材料内部可以实现的修改类型。鉴于硅光子学的重要性日益增加，折射率工程无疑是一个重要的目标。激光书写将提供直接数字制造当前制造技术无法实现的3D建筑材料的可能性。未来，这些新的激光模式可能会彻底改变当今先进微芯片的制造方式。

（a）在脉冲串模式下，不同脉冲数的激光能量随捕获图像的峰值发光强度变化。（b）通过Abel反演获得的横截面图像的对应峰值发光信号。图（a）、（b）与右图所示图例相同。（c）对于64个不同能级的脉冲序列（顶部标签），通过Abel反演（右侧）获得的捕获图像（左侧）和相应的横截面。每个地图的尺寸为188μm（垂直方向）和38μm（水平方向）。（d）对应的轴上发光曲线是64个脉冲串施加能量的函数。
【半导体|红外光的快速爆发为半导体芯片内部的3D处理开辟了一条道路】来源：Burst mode enabled ultrafast laser inscription inside gallium arsenide International Journal of Extreme Manufacturing 10.1088/2631-7990/ac8fc3