芯片|中国芯片工艺迎来最新进展，中芯国际实现重大突破

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现在我们谈到芯片工艺，总是有人会拿台积电5nm制程工艺，甚至是4nm制程工艺和国内半导体企业进行相比，比如我们现在使用的手机， 3000块以上的机型都几乎是5nm、7nm制程工艺的芯片，高端机型更是早已是4nm芯片的天下，而且这些芯片都是由高通找台积电代加工制造的芯片，我国本来有华为这家民营企业可以打造5nm的麒麟芯片，然而由于美国的限制，让我们失去了一定的竞争力，这也让我们意识到在高端芯片领域还有所不足。

特别是中芯国际最新公布的一项好消息，更是引来了全网的嘲讽，不少人认为只要中国实现什么突破，都是在吹牛，甚至认为国外的月亮比较圆，总是认为国外的技术比较先进比较好，但是这些人总是不弄清楚事情的真相，就在网上满嘴胡说八道，一点不把中国科技的发展放在眼里，更是无视这些年中国科技的进步，这也相当于在藐视我国科研人员的努力，要知道现在中芯国际实现的重大突破，并不是简简单单用纳米的单位就可以衡量的，而是在该领域实现了领先的核心科技。

最近中国在芯片工艺上迎来最新进展，目前在核心技术方面，中芯国际已经可以实现55nm批量量产，很多人一听就感觉和台积电相比有着巨大的差距，其实很多人不知道的是，此工艺技术水平并不能与台积电相提并论，所以他们才会认为是在吹牛，更是有人觉得一点小小的进步，就不断进行报道，有本事超越国外技术再说，其实这里面存在一个很大的误会，那么究竟为什么会闹出这么大一个误会呢？接着往下看，您就会知道。

其实之所以有这么大的误会，是因为他们根本不是一个赛道的工艺水平，相反中芯国际实现重大突破，不仅是已经领先全球，更是意味着中国半导体已经在国际上具有举足轻重的地位。中芯国际实现的重大突破，是在BCD平台的55nm工艺，而我们常说的5nm其实是指的CMOS工艺逻辑集成电路，两则根本就不是一回事，所以单纯的用纳米单位来衡量其技术水平是不公平的。比如BCD工艺是一种单片集成工艺技术，主要用于数字功率半导体的混合电路，而CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的，是设计集成电路模拟IC最常用的一种工艺。

现在全球BCD工艺最先进的水平其实是90nm的，主要是由SEM公司制造销售，显然现在中芯国际突破的55nm BCD工艺是全球领先的，不要动不动就拿来和台积电对比，中芯国际突破的BCD工艺主要用于工业和汽车应用，也是为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片提供解决方案，之所以要强调这一点，就是想告诉大家不要动不动就说什么吹牛，你都不知道国家干了什么，都不知道我们突破的意义在哪里，就胡说八道认为国外技术很牛，这种人不仅不爱国，而且还总是长他人志气灭自己威风，难道说国外有你的娘家人不成？

确实如此，一直以来我们在芯片工艺上都不如欧美国家，特别是在高端芯片领域，很多技术与设备都是欧美所掌握，比如荷兰EUV光刻机就是如此，包括还有台积电所掌握的先进程工艺，也由于美国技术知识产权的原因，而不得给我国企业进行代加工。之所以会出现这样的困境，说到底还是我们科技发展得比较晚，虽然这几年我们快速进步并发展，但是毕竟不是在一个起跑线上，现在还未能全面超越他们其实也可以理解，不过相信随着中国科技的不断发展，我们在传统技术领域不仅迎来技术突破，特别在全新的技术赛道也开始领跑全球所有国家，这样一来芯片被卡脖子的问题也会被彻底解决。