如果单从波长来看 , 确实是能比肩EUV光刻机 。 而且采用X射线技术无需光掩模版就能直接刻写 , 这能省下不少成本 。
俄地区真能制造出X射线光刻机吗在俄地区传出要自研光刻机的时候 , 很多人都表示不可置信 , 还嘲讽俄地区造不出芯片 。
半导体领域不发达不代表人家科技技术差 。 事实上俄地区在X射线和等离子这方面的技术上本就有着深厚的基础 。 早在2010年俄地区的无掩膜光刻技术甚至一度与ASML齐平 。
在ASML第一台预生产的 EUV 光刻机推出时 , 俄地区的物理研究所 IPM(RAS)就已经在开发 EUV光刻设备的系统及元件 , 并搭建出了装置原型 。 开发人员提出的辐射源原始解决方案其中有一部分还应用到了 ASML 的光刻机上 。
MIET 主要从事纳米电子器件研究 , 覆盖微机电系统、纳机电系统 以及 X 射线器件等领域研究 。 这些都与光刻机的制造技术密切相关 , 这也是为什么 MIET 能承接这个项目的原因 。
而且X射线光刻技术并不是现在才有的 , 欧美地区和我们国内科研机构在之前都做过相关的研究 , 但制作出来的X射线光刻设备只能用在特定场景 , 无法实现量产 。
由于X射线的穿透性太强 , 无法实现投影光刻 。 现阶段它只能用于直写光刻 , 直写光刻就是直接使用强激光束将电路一点点进行刻画 , 但要想刻写出纳米级集成电路用这个方式效率实在太低 。
所以这个技术在之前并没有被大力发展 。 这样看来俄地区现在发展这个技术主要的难题还是在于 X 射线工艺以及效率的提升上 。
按照计划 , 今年11月MIET将完成动态掩膜的技术和模型的开发 , 要求工艺将达到 28nm制程以上 。
结论综上所述 , 俄罗斯要造出X射线光刻机是有可能的 。 如果他们真的造出了可以量产的高制程光刻设备 , 那么就意味着ASML的光刻设备垄断地位将被打破 。
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