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SLC到TLC
要增加NAND芯片容量最简单方法是增加晶体管，但这意味着增加成本，那有什么不增加晶体管数量，或不怎么晶体管数量下提高容量呢？前文提及英特尔MLC技术就能做到， MLC是Multi Level Cell简写，意思为多层式储存，是对应SLC（Single Level Cell ，单层式储存）的命名方式，它是将两个单位的信息存入同一个cell单元，再通过不同电位的电荷去精准读取数据， 4种电压、1个晶体管就可存储2bit数据，比SLC翻倍。在2008年时候东芝宣布MLC NAND固态硬盘投入大规模量产，共有64GB、128GB两个容量以及1.8英寸、2.5英寸不同大小，凭借SATA II接口与高速闪存芯片，读写速度分别达到了100MB/s和40MB/s ，而东芝Dynabook SS RX1成为了首款配备MLC NAND固态硬盘的电脑，自从PC开始快速普及SSD 。

Dynabook SS RX1内置的MLC SSD
基于MLC技术原理，后来发展出TLC（Trinary Level Cell ，三层式储存）、QLC（Quad Level Cell ，四层式储存），层数越多NAND容量越大，但是性能、可靠性、寿命越差，但是大容量诱惑、以及各种辅助技术加持下， MLC淘汰了SLC ， TLC又淘汰了MLC ，成为了主流，估计在不久将来QLC会代替TLC 。

除了使用MLC、TLC增加存储密度外， NAND在过去10年里还使用3D NAND技术去提高单位面积芯片的存储密度，最大限度榨干晶圆的空间。 3D NAND原理很简单，就是把存储单元垂直地叠加在一起，层数越多，自然同样面积芯片存储密度越高，在2013年8月，三星运用了10nm工艺制成了首个3D V-NAND ，拉开了3D NAND序幕。

闪存应用与未来
在今天闪存已经淘汰了光盘，把HDD逼到一角，成为了主流存储技术，比如说SSD ，在过去两年时间里AMD、英特尔陆续推出了Zen3、12代酷睿悉尼一代处理器，普及了PCIe 4.0接口，尤其搭配12代酷睿的Z690主板，往往能提供3、4条PCIe 4.0的M.2插槽，吸引用户购买PCIe 4.0 SSD 。铠侠PRO SE10 PCIe4.0固态硬盘使用了铠侠原厂颗粒，提供了1TB、2TB容量，顺序读写速度分别达到了7300MB/s、6400MB/s ，能够很好满足游戏用户、视频工作者的高性能需求。

铠侠闪存广泛应用在电脑、智能手机、游戏主机、车载系统、可穿戴设备、数据中心、音乐各个领域，帮助用户更为高效、可靠地去存储数据，与我们息息相关，也在改变着我们的生活。在年初，铠侠与西部数据联合开发出162层NAND的第6代BiCS 3D NAND闪存，进一步闪存的性能与存储密度，未来可期。

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