也就是说，将232层分成两部分，每个部分116层，这些层的堆叠是从一个深而窄的孔开始，通过导体和绝缘体的交替层蚀刻 。
然后用材料填充孔并加工形成器件的比特存储部分 。蚀刻和填充穿过所有这些层的孔的能力是该技术的关键限制 。
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△图注：图源美光科技
目前，国产芯片企业长江存储的第三代QLC 3D NAND闪存实现了128层堆叠 。
对于层数的较量，网友也抱有很乐观的态度：
增加层数几乎不会带来新的问题 。
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参考链接：
[1] https://spectrum.ieee.org/micron-is-first-to-deliver-3d-flash-chips-with-more-than-200-layers
[2] https://news.ycombinator.com/item?id=32243862
【科技前沿|232层3D闪存芯片来了：单片容量2TB、传输速度提高50%】[3] https://ee.ofweek.com/2021-12/ART-8320315-8110-30538953.html
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