半导体|IGBT芯片崛起，中国半导体突围！

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【半导体|IGBT芯片崛起，中国半导体突围！】

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新星诞生

1948年4月28日，伴随着一声啼叫，小巴利加在印度马德拉斯降生， 32年后，小巴利长成了老巴利，老巴利当时在美国GE任职，他将已有的BJT和MOSFET“叠”在了一块，然后他就发明了IGBT 。
表 1：B·贾扬特·巴利加简介

资料来源：第三方资料及高维咨询， 2022年
年
脱胎于BJT和MOSFET的IGBT继承了“父母”的优良基因，取其精华取其糟粕，同时拥有BJT和MOSFET的优点，特别是在电流频率转换和设备节能减排方面IBGT具有巨大的优势。
表 2：MOSFET & BJT & IGBT

资料来源：第三方资料及高维咨询， 2022年
IGBT虽集众之所长，但在仅几年后便遇“挫折” 。 1988年，因GE半导体部门在业内并非“数一数二” ， IGBT相关技术随同GE半导体部门被出卖。
图 1：GE出售半导体业务

资料来源：纽约时报， 1988年
但是金子不管在什么地方，总会发光，它需要的——是时间。
蛰伏成长
一方面， GE出卖半导体业务的之后的这段时间里，世界经历巨变。
1988年6月，美国气象学家詹姆士·韩森于1988年6月在参众两院的听证会上提出了全球变暖的概念，节能减排开始进入全人类的视野，成为全人类共同的议题。 2015年12月12日195个国家在巴黎签订《巴黎协定》，以法律的形式团结在一起共同对抗日益严重的气候变暖问题。 2020年9月22日，中国在第七十五届联合国大会一般性辩论上提出中国将于2030年前碳达峰， 2060年碳中和，新能源相关成为资本最关注行业。
表 3：气候大事件节点