光电探测器领域迎重要进展，中科院团队实现由全关态向整流态转换( 三 )

然后，该团队尝试了不同厚度光栅层对器件性能的影响。当使用超薄的六方氮化硼（1nm）作为光栅层时，器件可以作为光电探测器；随着光栅层厚度增加到5nm以上，器件的光电流表现出非易失性，可以被用于光电存储器。
进一步，他们测试了器件对不同波长和强度光照的响应情况，由于光栅主要是依赖于六方氮化硼中的缺陷能级，因此入射光波长越短，更能激发深层的缺陷，器件的光电响应越灵敏。
最后，该团队以光控二极管作为基本单元，构筑了无选通器件的3×3光电存储阵列，验证了阵列的抗串扰能力。同时，基于器件对不同波长和强度光照响应差异，还演示了阵列的波长选择和功率选择功能。
在此工作的基础上，团队计划开展面向人工视觉系统的球面类脑二维材料电路。通过与国内相关科研单位合作，利用晶圆级二维材料构筑高集成度、柔性、透明的光控二极管阵列，并实现图像探测、图像记忆、图像学习等人工视觉系统功能。
再往后，他们计划发展出曲面光控二极管阵列。届时，将研究球面光控二极管性能的演变规律以及球面阵列与探测视角的关系，并探索与隐形眼镜类人工载体结合的功能验证。
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参考：
1、ShunFeng,RuyueHan,LiliZhang,ChiLiu,BoLi,HongleiZhu,QianbingZhu,WeiChen,Hui-MingCheng,Dong-MingSun,Aphoton-controlleddiodewithanewsignal-processingbehavior,NationalScienceReview,2022;,nwac088,https://doi.org/10.1093/nsr/nwac088
2、AdvancedMaterials,32,1907288,2020
3、NatureCommunications,12,1798,2021
4、NatureCommunications,12,4094 ， 2021
5、AdvancedMaterials,2201298,2022返回搜狐，查看更多
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