豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET

IT之家6月28日消息， MOSFET是一种在电池包装中的安全保护开关，近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A和SGT80VN沟道MOSFETWNM6008 。

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据官方介绍，双N沟道增强型MOSFET ， WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻， RSS(ON)低至1m? ，专为手机锂电池电路保护设计。 WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计，提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快，阙值电压低，开关速率高，可实现更高的效率和更低的温升。

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【豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET】IT之家了解到， WNM6008——80V高功率MOSFET ，采用最新一代ShieldGate技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化，具备超低FOM值（开关应用重要优值系数）。 WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电（例如电动代步车）等应用。

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