意法半导体|ST 和 Macom 制作射频 GaN-on-Si 原型

设备满足成本和性能目标，并将努力转移到认证阶段
【意法半导体|ST 和 Macom 制作射频 GaN-on-Si 原型】STMicroelectronics 和 Macom Technology Solutions 宣布成功生产 RF GaN-on-Si 原型。
两家公司表示，意法半导体制造的原型晶圆和器件已经实现了成本和性能目标，可以有效地与市场上现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC 技术竞争。
这些原型现在正在迈向下一个重要里程碑——认证和工业化。意法半导体的目标是在 2022 年实现这些里程碑。随着这一进展，意法半导体和 Macom 已经开始讨论进一步扩大他们的努力，以加快向市场交付先进射频硅基氮化镓产品的速度。
“我们相信，该技术现在已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC ，我们可以为包括无线基础设施在内的大批量应用提供有吸引力的成本和供应链优势， ” STMicroelectronics 功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli 说。“将 RF GaN-on-Silicon 产品商业化是我们与 Macom 合作的下一个重要里程碑，随着不断的进步，我们期待着充分发挥这一激动人心的技术的潜力。 ”
Macom 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 表示：“我们共同努力，在将 GaN-on-Si 技术推向商业化和大批量生产方面继续取得良好进展。“我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，我相信我们可以在硅基氮化镓技术满足技术要求的目标应用中赢得市场份额。 ”
RF GaN-on-Silicon 为 5G 和 6G 基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术 LDMOS 主导了早期射频功率放大器 (PA) 。对于这些射频功率放大器， GaN 可以提供比 LDMOS 更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，它可以在硅或 SiC 晶圆上制造。
由于高功率应用对 SiC 晶圆的竞争以及其非主流半导体加工， RF GaN-on-SiC 可能更昂贵。另一方面，意法半导体和 Macom 正在开发的 GaN-on-Si 技术有望通过集成到标准半导体工艺流程中提供具有竞争力的性能和巨大的规模经济。